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EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR

僅供參考

型號 EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR
PNEDA編號 EDB1332BDBH-1DAUT-F-R-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR
類別半導體內存IC內存
數據表
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR, EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR數據表 (總頁數: 145, 大小: 1,817.13 KB)
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EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小1Gb (32M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱134-VFBGA
供應商設備包裝134-VFBGA (10x11.5)

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Micron Technology Inc.

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內存格式

DRAM

技術

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內存大小

8Gb (128M x 64)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-DIP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (128M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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S99MS02G10019

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

-

內存格式

-

技術

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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Cypress Semiconductor Corp

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

16-SOIC

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