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EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

僅供參考

型號 EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
PNEDA編號 EDB5432BEBH-1DAAT-F-R-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
類別半導體內存IC內存

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EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小512Mb (16M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱134-VFBGA
供應商設備包裝134-VFBGA (10x11.5)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

288Mb (16M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

144-TFBGA

供應商設備包裝

144-µBGA (18.5x11)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

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