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EDB8164B4PT-1D-F-R TR

EDB8164B4PT-1D-F-R TR

僅供參考

型號 EDB8164B4PT-1D-F-R TR
PNEDA編號 EDB8164B4PT-1D-F-R-TR
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDB8164B4PT-1D-F-R TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDB8164B4PT-1D-F-R TR
類別半導體內存IC內存
數據表
EDB8164B4PT-1D-F-R TR, EDB8164B4PT-1D-F-R TR數據表 (總頁數: 152, 大小: 1,983.99 KB)
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EDB8164B4PT-1D-F-R TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小8Gb (128M x 64)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱216-WFBGA
供應商設備包裝216-FBGA (12x12)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

500ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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