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EDBM432B3PB-1D-F-R TR

EDBM432B3PB-1D-F-R TR

僅供參考

型號 EDBM432B3PB-1D-F-R TR
PNEDA編號 EDBM432B3PB-1D-F-R-TR
描述 IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDBM432B3PB-1D-F-R TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDBM432B3PB-1D-F-R TR
類別半導體內存IC內存
數據表
EDBM432B3PB-1D-F-R TR, EDBM432B3PB-1D-F-R TR數據表 (總頁數: 169, 大小: 2,031.41 KB)
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EDBM432B3PB-1D-F-R TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小12Gb (384M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱168-VFBGA
供應商設備包裝168-FBGA (12x12)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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