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EFC2K102NUZTDG

EFC2K102NUZTDG

僅供參考

型號 EFC2K102NUZTDG
PNEDA編號 EFC2K102NUZTDG
描述 DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V,
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC2K102NUZTDG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC2K102NUZTDG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EFC2K102NUZTDG, EFC2K102NUZTDG數據表 (總頁數: 8, 大小: 138.46 KB)
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EFC2K102NUZTDG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)33A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.65mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs42nC @ 3.8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大3.1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱10-SMD, No Lead
供應商設備包裝10-WLCSP (2.98x1.49)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA, 500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2940pF @ 25V

功率-最大

65W

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1478pF @ 10V

功率-最大

2.3W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

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