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EFC4618R-TR

EFC4618R-TR

僅供參考

型號 EFC4618R-TR
PNEDA編號 EFC4618R-TR
描述 MOSFET 2N-CH EFCP1818
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC4618R-TR資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC4618R-TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EFC4618R-TR, EFC4618R-TR數據表 (總頁數: 5, 大小: 393.05 KB)
PDFEFC4618R-TR數據表 封面
EFC4618R-TR數據表 頁面 2 EFC4618R-TR數據表 頁面 3 EFC4618R-TR數據表 頁面 4 EFC4618R-TR數據表 頁面 5

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EFC4618R-TR規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.6W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-XBGA, 4-FCBGA
供應商設備包裝EFCP1818-4CC-037

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A, 12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

430mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 16V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

396mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 10V

功率-最大

220mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

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