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EFC6601R-A-TR

EFC6601R-A-TR

僅供參考

型號 EFC6601R-A-TR
PNEDA編號 EFC6601R-A-TR
描述 MOSFET 2N-CH EFCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC6601R-A-TR資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC6601R-A-TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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EFC6601R-A-TR規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs48nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-XFBGA, FCBGA
供應商設備包裝EFCP2718-6CE-020

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.1mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 25V

功率-最大

64W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 6V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V, 41nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

925pF @ 10V, 2150pF @ 10V

功率-最大

20.2W, 40W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

542pF @ 15V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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