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EFC6612R-TF

EFC6612R-TF

僅供參考

型號 EFC6612R-TF
PNEDA編號 EFC6612R-TF
描述 MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $4.8800
250 ---------- $4.6513
500 ---------- $4.4225
1,000 ---------- $4.1938
2,500 ---------- $4.0031
5,000 ---------- $3.8125
庫存 12,551
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC6612R-TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC6612R-TF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EFC6612R-TF, EFC6612R-TF數據表 (總頁數: 6, 大小: 538.17 KB)
PDFEFC6612R-TF數據表 封面
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EFC6612R-TF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大2.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, No Lead
供應商設備包裝6-CSP (1.77x3.54)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF @ 10V

功率-最大

1.65W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A, 17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1750pF @ 15V

功率-最大

800mW, 900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerWDFN

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ON Semiconductor

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-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

668pF @ 25V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

83mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

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