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EGF1B-1HE3/67A

EGF1B-1HE3/67A

僅供參考

型號 EGF1B-1HE3/67A
PNEDA編號 EGF1B-1HE3-67A
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGF1B-1HE3/67A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGF1B-1HE3/67A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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EGF1B-1HE3/67A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214BA
供應商設備包裝DO-214BA (GF1)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 150V

電容@ Vr,F

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90V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1.2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1.2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

18µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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1.5V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

35µA @ 400V

電容@ Vr,F

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