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EGL34C-E3/83

EGL34C-E3/83

僅供參考

型號 EGL34C-E3/83
PNEDA編號 EGL34C-E3-83
描述 DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGL34C-E3/83資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGL34C-E3/83
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGL34C-E3/83, EGL34C-E3/83數據表 (總頁數: 4, 大小: 79.9 KB)
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EGL34C-E3/83規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)500mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 500mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 150V
電容@ Vr,F7pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA (Glass)
供應商設備包裝DO-213AA (GL34)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

160ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

115pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-203AA

工作溫度-結點

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-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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