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EGL41CHE3_A/I

EGL41CHE3_A/I

僅供參考

型號 EGL41CHE3_A/I
PNEDA編號 EGL41CHE3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 3,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGL41CHE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGL41CHE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGL41CHE3_A/I, EGL41CHE3_A/I數據表 (總頁數: 4, 大小: 80.07 KB)
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EGL41CHE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 150V
電容@ Vr,F20pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AB, MELF (Glass)
供應商設備包裝DO-213AB
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 5A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

830µA @ 650V

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 35V

電容@ Vr,F

900pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

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