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EGL41FHE3/97

EGL41FHE3/97

僅供參考

型號 EGL41FHE3/97
PNEDA編號 EGL41FHE3-97
描述 DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGL41FHE3/97資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGL41FHE3/97
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGL41FHE3/97, EGL41FHE3/97數據表 (總頁數: 4, 大小: 80.07 KB)
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EGL41FHE3/97規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 300V
電容@ Vr,F14pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AB, MELF (Glass)
供應商設備包裝DO-213AB
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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當前-反向泄漏@ Vr

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

95pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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