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EGP10GEHE3/54

EGP10GEHE3/54

僅供參考

型號 EGP10GEHE3/54
PNEDA編號 EGP10GEHE3-54
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGP10GEHE3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGP10GEHE3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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EGP10GEHE3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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40V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1.7A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

72pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

940mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

22ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-277, 3-PowerDFN

供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.44V @ 1500A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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安裝類型

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