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EGP31F-E3/C

EGP31F-E3/C

僅供參考

型號 EGP31F-E3/C
PNEDA編號 EGP31F-E3-C
描述 DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGP31F-E3/C資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGP31F-E3/C
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGP31F-E3/C, EGP31F-E3/C數據表 (總頁數: 5, 大小: 86.78 KB)
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EGP31F-E3/C規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 300V
電容@ Vr,F48pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 50A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 20V

電容@ Vr,F

28pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.3V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

75mA @ 1600V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

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