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EGP51D-E3/C

EGP51D-E3/C

僅供參考

型號 EGP51D-E3/C
PNEDA編號 EGP51D-E3-C
描述 DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGP51D-E3/C資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGP51D-E3/C
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGP51D-E3/C, EGP51D-E3/C數據表 (總頁數: 5, 大小: 86.78 KB)
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EGP51D-E3/C規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果960mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F117pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

3A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 100V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

410µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

3.3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

25pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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