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EMA3T2R

EMA3T2R

僅供參考

型號 EMA3T2R
PNEDA編號 EMA3T2R
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMA3T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMA3T2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
EMA3T2R, EMA3T2R數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,238.39 KB)
PDFEMA3T2R數據表 封面
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EMA3T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD (5 Leads), Flat Lead
供應商設備包裝EMT5

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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