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EMH1T2R

EMH1T2R

僅供參考

型號 EMH1T2R
PNEDA編號 EMH1T2R
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,906
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMH1T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMH1T2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
EMH1T2R, EMH1T2R數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,178.08 KB)
PDFUMH1NTN數據表 封面
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EMH1T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝EMT6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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56 @ 5mA, 5V

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