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EMT52T2R

EMT52T2R

僅供參考

型號 EMT52T2R
PNEDA編號 EMT52T2R
描述 PNP+PNP DRIVER TRANSISTOR. TWO 2
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMT52T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMT52T2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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EMT52T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大150mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝EMT6

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ON Semiconductor

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V, 60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 100µA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

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