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EMX26T2R

EMX26T2R

僅供參考

型號 EMX26T2R
PNEDA編號 EMX26T2R
描述 TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 67,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMX26T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMX26T2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
EMX26T2R, EMX26T2R數據表 (總頁數: 4, 大小: 64.08 KB)
PDFEMX26T2R數據表 封面
EMX26T2R數據表 頁面 2 EMX26T2R數據表 頁面 3 EMX26T2R數據表 頁面 4

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EMX26T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)300nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce820 @ 50mA, 5V
功率-最大150mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝EMT6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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100nA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

175MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

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