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EMX2DXV6T5G

EMX2DXV6T5G

僅供參考

型號 EMX2DXV6T5G
PNEDA編號 EMX2DXV6T5G
描述 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 22 - 二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMX2DXV6T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMX2DXV6T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
EMX2DXV6T5G, EMX2DXV6T5G數據表 (總頁數: 4, 大小: 121.4 KB)
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EMX2DXV6T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大500mW
頻率-過渡180MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual) Common Emitter

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

270MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

供應商設備包裝

TSMT5

FMBM5551-SB16001

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

700mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

4 NPN (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

3W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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