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EPC2045ENGRT

EPC2045ENGRT EPC2045ENGRT

僅供參考

型號 EPC2045ENGRT
PNEDA編號 EPC2045ENGRT
描述 GANFET TRANS 100V BUMPED DIE
制造商 EPC
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EPC2045ENGRT資源

品牌 EPC
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EPC2045ENGRT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
EPC2045ENGRT, EPC2045ENGRT數據表 (總頁數: 6, 大小: 1,019.92 KB)
PDFEPC2045ENGRT數據表 封面
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EPC2045ENGRT規格

制造商EPC
系列eGaN®
FET類型N-Channel
技術GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.5nC @ 5V
Vgs(最大)+6V, -4V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds685pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Die
包裝/箱Die

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制造商

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系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta), 27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PQFN (5x6)

包裝/箱

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IXYS

制造商

IXYS

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

88A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

400W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-268

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

制造商

IXYS

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 20V

Vgs(最大)

+20V, -5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1895pF @ 1000V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2450pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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