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EPC2100ENG

EPC2100ENG

僅供參考

型號 EPC2100ENG
PNEDA編號 EPC2100ENG
描述 GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE
制造商 EPC
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EPC2100ENG資源

品牌 EPC
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EPC2100ENG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EPC2100ENG, EPC2100ENG數據表 (總頁數: 9, 大小: 2,114.1 KB)
PDFEPC2100ENG數據表 封面
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EPC2100ENG規格

制造商EPC
系列eGaN®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
功率-最大-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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1200V (1.2kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

168A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.1V @ 50mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9500pF @ 800V

功率-最大

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工作溫度

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 10V

功率-最大

1.1W

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Surface Mount

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 3V

功率-最大

125mW

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Ta), 95A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.12mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5035pF @ 15V

功率-最大

2.1W (Ta), 29W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

780mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

83pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

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