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ES1BHE3/61T

ES1BHE3/61T

僅供參考

型號 ES1BHE3/61T
PNEDA編號 ES1BHE3-61T
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1BHE3/61T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1BHE3/61T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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ES1BHE3/61T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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600mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

140pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

135ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 125A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

9mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Powerex Inc.

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1400V

電流-平均整流(Io)

800A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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DO-200AB, B-PUK

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 400V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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