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ES1CHE3_A/H

ES1CHE3_A/H

僅供參考

型號 ES1CHE3_A/H
PNEDA編號 ES1CHE3_A-H
描述 DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 58,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1CHE3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1CHE3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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ES1CHE3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 150V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

690mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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400V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

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840mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

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