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ES1CHE3_A/I

ES1CHE3_A/I

僅供參考

型號 ES1CHE3_A/I
PNEDA編號 ES1CHE3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,852
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1CHE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1CHE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ES1CHE3_A/I, ES1CHE3_A/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 80.1 KB)
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ES1CHE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 150V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

8mA @ 30V

電容@ Vr,F

800pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

250pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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90V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

85pF @ 4V, 1MHz

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