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ES1DHE3/5AT

ES1DHE3/5AT

僅供參考

型號 ES1DHE3/5AT
PNEDA編號 ES1DHE3-5AT
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1DHE3/5AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1DHE3/5AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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ES1DHE3/5AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

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2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

SMA

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二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 85A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

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-40°C ~ 125°C

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制造商

Micro Commercial Co

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

50A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 125A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-203AB (DO-5)

工作溫度-結點

-55°C ~ 180°C

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