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ES1GL MTG

ES1GL MTG

僅供參考

型號 ES1GL MTG
PNEDA編號 ES1GL-MTG
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,220
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1GL MTG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1GL MTG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES1GL MTG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F8pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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15V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

410mV @ 19A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 15V

電容@ Vr,F

2000pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.95V @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-203AB

工作溫度-結點

-40°C ~ 125°C

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

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二極管類型

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60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

7pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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