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ES1J-TP

ES1J-TP

僅供參考

型號 ES1J-TP
PNEDA編號 ES1J-TP
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1J-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1J-TP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ES1J-TP, ES1J-TP數據表 (總頁數: 4, 大小: 313.02 KB)
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ES1J-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.35V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F45pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (HSMA)
工作溫度-結點-50°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

8A

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510mV @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

350µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

35pF @ 5V, 1MHz

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800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

19µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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