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ES1JF R2G

ES1JF R2G

僅供參考

型號 ES1JF R2G
PNEDA編號 ES1JF-R2G
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1JF R2G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1JF R2G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES1JF R2G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F9pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-221AC, SMA Flat Leads
供應商設備包裝SMAF
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

10A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

90µA @ 600V

電容@ Vr,F

290pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

70V

電流-平均整流(Io)

70mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 70V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

780mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

DPAK

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