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ES2CHE3/5BT

ES2CHE3/5BT

僅供參考

型號 ES2CHE3/5BT
PNEDA編號 ES2CHE3-5BT
描述 DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES2CHE3/5BT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES2CHE3/5BT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ES2CHE3/5BT, ES2CHE3/5BT數據表 (總頁數: 5, 大小: 84.05 KB)
PDFES2DHE3J/52T數據表 封面
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ES2CHE3/5BT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 150V
電容@ Vr,F18pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220AC

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

8.7ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 40V

電容@ Vr,F

28pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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