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ES2FHM4G

ES2FHM4G

僅供參考

型號 ES2FHM4G
PNEDA編號 ES2FHM4G
描述 DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES2FHM4G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES2FHM4G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES2FHM4G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 300V
電容@ Vr,F20pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 400mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

工作溫度-結點

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

45mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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60V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

620mV @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

2A05GHR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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