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ES2G-M3/5BT

ES2G-M3/5BT

僅供參考

型號 ES2G-M3/5BT
PNEDA編號 ES2G-M3-5BT
描述 DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES2G-M3/5BT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES2G-M3/5BT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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ES2G-M3/5BT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 785A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

60mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-205AB, DO-9

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)

50A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 125A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

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