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ES2LD M4G

ES2LD M4G

僅供參考

型號 ES2LD M4G
PNEDA編號 ES2LD-M4G
描述 DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES2LD M4G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES2LD M4G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES2LD M4G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果940mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F25pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

870mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 150V

電容@ Vr,F

380pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

680mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 35A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 600V

電容@ Vr,F

3600pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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SlimDPAK

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