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ES3B-M3/9AT

ES3B-M3/9AT

僅供參考

型號 ES3B-M3/9AT
PNEDA編號 ES3B-M3-9AT
描述 DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES3B-M3/9AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES3B-M3/9AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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ES3B-M3/9AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F45pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

60µA @ 650V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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