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ES3D R7G

ES3D R7G

僅供參考

型號 ES3D R7G
PNEDA編號 ES3D-R7G
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 34,182
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES3D R7G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES3D R7G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES3D R7G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F45pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

62pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

1.4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1.4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 800V

電容@ Vr,F

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200V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 200V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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35V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

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