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ES3F V7G

ES3F V7G

僅供參考

型號 ES3F V7G
PNEDA編號 ES3F-V7G
描述 DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 3,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES3F V7G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES3F V7G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES3F V7G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 300V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.42V @ 65A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

480ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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75V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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