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ES3G M6G

ES3G M6G

僅供參考

型號 ES3G M6G
PNEDA編號 ES3G-M6G
描述 DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES3G M6G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES3G M6G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES3G M6G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1000V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 4A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

14pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

PowerDI™ 123

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.29V @ 30A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 1600V

電容@ Vr,F

10pF @ 400V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 40V

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-41

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

700µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

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-55°C ~ 150°C

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