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F1T3G A0G

F1T3G A0G

僅供參考

型號 F1T3G A0G
PNEDA編號 F1T3G-A0G
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,700
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

F1T3G A0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號F1T3G A0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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F1T3G A0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝TS-1
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

580mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SMC

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

VS-MBRB735PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

7.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

390mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.6ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

40pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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