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F1T4GHA1G

F1T4GHA1G

僅供參考

型號 F1T4GHA1G
PNEDA編號 F1T4GHA1G
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

F1T4GHA1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號F1T4GHA1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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F1T4GHA1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝TS-1
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

35pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

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系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

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