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F1T5G R0G

F1T5G R0G

僅供參考

型號 F1T5G R0G
PNEDA編號 F1T5G-R0G
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

F1T5G R0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號F1T5G R0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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F1T5G R0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)250ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝TS-1
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

DO-219AB (SMF)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

4.3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 80V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

25V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 25V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

70V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 70V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

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