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F4150R12KS4BOSA1

F4150R12KS4BOSA1

僅供參考

型號 F4150R12KS4BOSA1
PNEDA編號 F4150R12KS4BOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1200V 150A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,790
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

F4150R12KS4BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號F4150R12KS4BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
F4150R12KS4BOSA1, F4150R12KS4BOSA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 518.53 KB)
PDFF4150R12KS4BOSA1數據表 封面
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F4150R12KS4BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)180A
功率-最大960W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.75V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce10nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

1.75mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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輸入電容(Cies)@ Vce

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Standard

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Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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20A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 10A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.6nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.62nF @ 25V

輸入

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Yes

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