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F475R07W2H3B51BPSA1

F475R07W2H3B51BPSA1

僅供參考

型號 F475R07W2H3B51BPSA1
PNEDA編號 F475R07W2H3B51BPSA1
描述 MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 16 - 四月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

F475R07W2H3B51BPSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號F475R07W2H3B51BPSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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F475R07W2H3B51BPSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
功率-最大250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.55V @ 15V, 37.5A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce4.7nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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183A

功率-最大

630W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.43nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

E3

供應商設備包裝

E3

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

270A

功率-最大

660W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

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Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

625W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

功率-最大

176W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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