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FCD9N60NTM

FCD9N60NTM

僅供參考

型號 FCD9N60NTM
PNEDA編號 FCD9N60NTM
描述 MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 18,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCD9N60NTM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCD9N60NTM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCD9N60NTM, FCD9N60NTM數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,243.14 KB)
PDFFCD9N60NTM數據表 封面
FCD9N60NTM數據表 頁面 2 FCD9N60NTM數據表 頁面 3 FCD9N60NTM數據表 頁面 4 FCD9N60NTM數據表 頁面 5 FCD9N60NTM數據表 頁面 6 FCD9N60NTM數據表 頁面 7 FCD9N60NTM數據表 頁面 8 FCD9N60NTM數據表 頁面 9 FCD9N60NTM數據表 頁面 10

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FCD9N60NTM規格

制造商ON Semiconductor
系列SupreMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17.8nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1000pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)92.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 2.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.1nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

358pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252-3

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

147W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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LFPAK56, Power-SO8

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

48.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

132nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

430W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.95A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

790mW (Ta)

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