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FCH041N60E

FCH041N60E

僅供參考

型號 FCH041N60E
PNEDA編號 FCH041N60E
描述 MOSFET N CH 600V 77A TO-247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 20,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCH041N60E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCH041N60E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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FCH041N60E規格

制造商ON Semiconductor
系列SuperFET® II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)77A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs41mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs380nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13700pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)592W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.7mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2050pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 300V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4450pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A (Ta), 4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

830mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 33W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

102nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3595pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

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