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FCH041N60F-F085

FCH041N60F-F085

僅供參考

型號 FCH041N60F-F085
PNEDA編號 FCH041N60F-F085
描述 MOSFET N CH 600V 76A TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,944
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCH041N60F-F085資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCH041N60F-F085
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCH041N60F-F085, FCH041N60F-F085數據表 (總頁數: 8, 大小: 551.26 KB)
PDFFCH041N60F-F085數據表 封面
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FCH041N60F-F085規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)76A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs41mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs347nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)595W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0.9V, 2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

69mOhm @ 1.5A, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 2.5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1010pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SC-70FL/MCPH3

包裝/箱

3-SMD, Flat Leads

RTF025N03TL

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

67mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TUMT3

包裝/箱

3-SMD, Flat Leads

RRR040P03TL

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TSMT3

包裝/箱

SC-96

制造商

NXP USA Inc.

系列

TrenchMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1375pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

187W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

制造商

NXP USA Inc.

系列

TrenchMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

260mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.85nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

560mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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