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FCH190N65F-F155

FCH190N65F-F155

僅供參考

型號 FCH190N65F-F155
PNEDA編號 FCH190N65F-F155
描述 MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCH190N65F-F155資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCH190N65F-F155
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCH190N65F-F155, FCH190N65F-F155數據表 (總頁數: 10, 大小: 482.39 KB)
PDFFCH190N65F-F155數據表 封面
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FCH190N65F-F155規格

制造商ON Semiconductor
系列FRFET®, SuperFET® II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs78nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3225pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)208W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 Long Leads
包裝/箱TO-247-3

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

235nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

STMicroelectronics

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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-

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

443pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

540W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

580pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

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