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FCH47N60NF

FCH47N60NF

僅供參考

型號 FCH47N60NF
PNEDA編號 FCH47N60NF
描述 MOSFET N-CH 600V 45.8A TO-247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,402
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCH47N60NF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCH47N60NF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCH47N60NF, FCH47N60NF數據表 (總頁數: 10, 大小: 678.87 KB)
PDFFCH47N60NF數據表 封面
FCH47N60NF數據表 頁面 2 FCH47N60NF數據表 頁面 3 FCH47N60NF數據表 頁面 4 FCH47N60NF數據表 頁面 5 FCH47N60NF數據表 頁面 6 FCH47N60NF數據表 頁面 7 FCH47N60NF數據表 頁面 8 FCH47N60NF數據表 頁面 9 FCH47N60NF數據表 頁面 10

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FCH47N60NF規格

制造商ON Semiconductor
系列SupreMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)45.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs157nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6120pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)368W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1346pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

43W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

841pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 340µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

82mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2370pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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