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FCP20N60FS

FCP20N60FS

僅供參考

型號 FCP20N60FS
PNEDA編號 FCP20N60FS
描述 MOSFET N-CH 600V TO220-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCP20N60FS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCP20N60FS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCP20N60FS, FCP20N60FS數據表 (總頁數: 11, 大小: 646.08 KB)
PDFFCPF20N60FS數據表 封面
FCPF20N60FS數據表 頁面 2 FCPF20N60FS數據表 頁面 3 FCPF20N60FS數據表 頁面 4 FCPF20N60FS數據表 頁面 5 FCPF20N60FS數據表 頁面 6 FCPF20N60FS數據表 頁面 7 FCPF20N60FS數據表 頁面 8 FCPF20N60FS數據表 頁面 9 FCPF20N60FS數據表 頁面 10 FCPF20N60FS數據表 頁面 11

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FCP20N60FS規格

制造商ON Semiconductor
系列SuperFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs98nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3080pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)208W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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ON Semiconductor

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

260mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 240mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.81nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

26.7pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 31.25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 690µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

130W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

245nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6725pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.65W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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