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FCP22N60N

FCP22N60N

僅供參考

型號 FCP22N60N
PNEDA編號 FCP22N60N
描述 MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCP22N60N資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCP22N60N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCP22N60N, FCP22N60N數據表 (總頁數: 12, 大小: 754.77 KB)
PDFFCPF22N60NT數據表 封面
FCPF22N60NT數據表 頁面 2 FCPF22N60NT數據表 頁面 3 FCPF22N60NT數據表 頁面 4 FCPF22N60NT數據表 頁面 5 FCPF22N60NT數據表 頁面 6 FCPF22N60NT數據表 頁面 7 FCPF22N60NT數據表 頁面 8 FCPF22N60NT數據表 頁面 9 FCPF22N60NT數據表 頁面 10 FCPF22N60NT數據表 頁面 11

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FCP22N60N規格

制造商ON Semiconductor
系列SupreMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs165mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±45V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1950pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)205W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7130pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

263W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3944pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

41A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2260pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

130W (Tc)

工作溫度

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