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FD200R12KE3HOSA1

FD200R12KE3HOSA1

僅供參考

型號 FD200R12KE3HOSA1
PNEDA編號 FD200R12KE3HOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1200V 200A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,852
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FD200R12KE3HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FD200R12KE3HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FD200R12KE3HOSA1, FD200R12KE3HOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 493.79 KB)
PDFFD200R12KE3HOSA1數據表 封面
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FD200R12KE3HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single Chopper
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大1050W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce14nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

107A

功率-最大

375W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

130A

功率-最大

660W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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制造商

Infineon Technologies

系列

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

功率-最大

330W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1500A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 1500A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

88nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

1660W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

750µA

輸入電容(Cies)@ Vce

26.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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